Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW40V60DF — полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3 с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 160 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 283 Вт. В комплект поставки входит 10 единиц.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 160 А
• Максимальная мощность рассеивания: 283 Вт
• Корпус: TO247-3
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 600 В и выдерживает ток коллектора 160 А. Максимальная мощность рассеивания равна 283 Вт. Заряд затвора составляет 226 нКл, а напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В.

Прибор имеет тип монтажа «вставной» (THT) и выполнен в корпусе TO247-3. Интегрированный антипараллельный диод является частью конструкции транзистора.

В наборе 10 транзисторов.