Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP140N6F7 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии STripFET™. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 80 А. В комплект поставки входит 20 единиц в корпусе TO220-3.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
- Максимально допустимый ток стока: 80 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 3.5 мОм
- Корпус: TO220-3, выводной монтаж
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и напряжение затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 80 А, а импульсный ток — 320 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 3.5 мОм, что определяет эффективность при пропускании тока.
Мощность и конструкция
Максимальная мощность рассеивания для этого компонента составляет 158 Вт. Поляризация устройства — униполярная, канал — обогащенный (enhancement).
Комплектация и монтаж
В наборе содержится 20 транзисторов STP140N6F7. Количество в комплекте указано как 20 шт.