Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13N80K5 — это полевой транзистор с каналом типа N, выполненный по технологии SuperMESH5™. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 800 В, максимально допустимый ток стока — 7,6 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
- Максимально допустимый ток стока: 7,6 А
- Максимальная мощность рассеивания: 190 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 450 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж выводной
- Технология: SuperMESH5™
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток (VDS) составляет 800 В, что определяет верхнюю границу рабочего напряжения устройства. Максимально допустимый ток стока (ID) равен 7,6 А. Максимальная мощность рассеивания (PD) ограничена значением 190 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 450 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе TO220-3. Тип монтажа — выводной (THT), что предполагает установку компонентов в отверстия печатной платы. Версия устройства обозначена как ESD. Канал транзистора является обогащенным (enhancement mode), а полярность — униполярной.
