Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF24NM60N — это полупроводниковый прибор с технологией MDmesh™ II. Комплект из 10 штук.
- Тип: N-MOSFET с обогащением канала
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Максимальный ток стока: 11 А
- Мощность рассеивания: 30 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектация: 10 транзисторов
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 11 А. Эти параметры определяют область применения компонента.
Эффективное рассеивание тепла
Мощность рассеивания составляет 30 Вт, что требует надлежащего теплового режима. Корпус TO220FP с монтажом THT (через отверстия).
Технология MDmesh™ II
Использование технологии MDmesh™ II от STMicroelectronics.