•
•
•
•
•
•
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB34P10TM, -100 В, -23,5 А, 155 Вт, D2PAK (набор 10 шт.)
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 155 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 60 mOm |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | QFET® |
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB34P10TM в корпусе D2PAK — полевой (униполярный) транзистор с каналом P-типа. В наборе 10 шт.
- Напряжение: -100 В
- Ток: -23,5 А
- Рассеиваемая мощность: 155 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 60 мОм
- Корпус: D2PAK
- Количество в наборе: 10 шт.
Напряжение — -100 В, ток — -23,5 А, максимальная рассеиваемая мощность — 155 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 25 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 60 мОм. Заряд затвора — 110 нКл.
Конструкция и технологияТип монтажа — поверхностный. Тип канала — обогащаемый. Технология — QFET®.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB34P10TM, -100 В, -23,5 А, 155 Вт, D2PAK (набор 10 шт.)
В наличии
3 240 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
IBAN UA063220010000026005360045578
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат