Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12NK30Z — полевой транзистор с каналом обогащения (unipolar) в корпусе TO220-3. Комплект состоит из 10 единиц. Ключевые параметры: напряжение сток-исток 300 В, ток стока 5,6 А, мощность рассеивания 90 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 В
• Максимально допустимый ток стока: 5,6 А
• Максимальная мощность рассеивания: 90 Вт
• Корпус: TO220-3, выводной монтаж
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 300 В и напряжение затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока составляет 5,6 А при максимальной мощности рассеивания 90 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 400 мОм.

Прибор изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Корпус TO220-3 предназначен для выводного монтажа. Тип транзистора — полевой, канал — обогащенный (wzbogacany).

В наборе 10 шт. транзисторов STP12NK30Z.