Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10B60D2 — полупроводниковый прибор в корпусе TO220F. В комплекте 20 единиц.
- Тип транзистора: IGBT (полевой)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимальный ток коллектора: 10 А
- Корпус: TO220F, выводной монтаж
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,55 В
- В комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и ток коллектора 10 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 12 Вт. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер равно 1,55 В.
Энергетические характеристики
Энергия выключения — 0,04 мДж, энергия включения — 0,14 мДж. Заряд затвора — 9,4 нКл.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в корпусе TO220F с выводным типом монтажа. Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.