BC211 Unitra GEMI транзистор NPN (30мГц 80В) Ni (ТО5)
― Транзисторы биполярные

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max |
Ucb max |
Uce max |
Ueb max |
Ic max |
Tj max, °C |
Ft max |
Cc tip |
Hfe |
| 800mW |
80V |
40V |
7V |
1A |
175°C |
30MHz |
6 |
40MIN |
Производитель: MISTRAL
Сфера применения: Medium Power, General Purpose
Популярность: 2758
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BC211
| Общий вид транзистора BC211. |
Цоколевка транзистора BC211. |
 |
 |
Обозначение контактов:
Международное: C ― коллектор, B ― база, E ― эмиттер.
Россиянское: К ― коллектор, Б ― база, Э ― эмиттер.