The IRFB3306PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Технические параметры
Структура    n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В    60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А    160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В    ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)    0.0042 ом при 75a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт    230
Крутизна характеристики, S    23
Корпус    to220ab
Вес, г    2.5