IGBT-транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD5B60D в корпусе TO252 для поверхностного монтажа.## Комплектация

• Тип транзистора: IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Ток коллектора: 5 А
• Корпус: TO252 (SMD)
• Количество в комплекте: 40 шт.
• Мощность рассеивания: 21,7 Вт

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 5 А. Импульсный ток может достигать 20 А. Мощность рассеивания составляет 21,7 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Время включения равно 27 нс, а время выключения — 124 нс. Энергия включения составляет 0,14 мДж, а энергия выключения — 0,04 мДж. Эти параметры характеризуют динамические потери при переключении.

Компонент выполнен в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD). Это обеспечивает компактное размещение на печатной плате и удобство автоматизированного монтажа.