Основной
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 19 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 75 mOm |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | STripFET™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP30NF20 — это униполярный прибор с каналом обогащения, разработанный по технологии STripFET™. Компонент рассчитан на напряжение 200 В и ток 19 А, с параметрами, характерными для силовых транзисторов.## Комплектация
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
- Постоянный ток стока: 19 А
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 75 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектация: 10 шт.
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 200 В и постоянный ток стока 19 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 75 мОм, что снижает потери мощности. Максимальная рассеиваемая мощность равна 125 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено значением ±20 В. Тип транзистора — N-MOSFET с каналом обогащения.
Корпус и монтажВ комплекте поставляется 10 транзисторов. Компонент выполнен в корпусе TO220-3. Монтаж осуществляется методом выводов в отверстия (THT).
Производитель и технологияИзделие изготовлено по технологии STripFET™ от STMicroelectronics. Эта технология является собственной разработкой производителя. Производитель компонента — STMicroelectronics.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP30NF20, 200В, 19А, TO220-3 — набор 10 шт.
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность