Транзистор ONSEMI SBC807-40WT1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT323 (SC70). Комплект состоит из 300 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD). Компонент соответствует требованиям автомобильной промышленности.
- Тип транзистора: PNP, биполярный
- Корпус: SC70, SOT323 (монтаж SMD)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Ток коллектора: 0,5 А
- Мощность рассеивания: 0,46 Вт
- Коэффициент усиления: 250...600
- Граничная частота: 100 МГц
- Количество в комплекте: 300 шт.
Электрические параметры и усиление
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В и ток коллектора 0,5 А. Мощность рассеивания составляет 0,46 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 250...600, что определяет способность прибора усиливать входной сигнал.
Корпус SOT323 и монтаж SMD
Прибор выполнен в компактном корпусе SC70, SOT323. Монтаж осуществляется методом SMD (Surface Mount Device), что позволяет размещать компоненты непосредственно на поверхности печатной платы.
Частотные характеристики и применение
Граничная частота перехода составляет 100 МГц. Эта характеристика определяет быстродействие транзистора. Согласно данным производителя, компонент предназначен для использования в автомобильной промышленности.
