SILAN SGT50T65SDM1P7 — это одиночный IGBT со встроенным диодом в корпусе TO-247. Поставляется в трубке, в стандартной упаковке 30 штук.

• Структура: IGBT + Диод
• Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Макс. ток коллектора (25°C): 100 А
• Макс. ток коллектора (100°C): 50 А
• Макс. непрерывный ток диода (25°C): 100 А
• Макс. непрерывный ток диода (100°C): 50 А
• Время восстановления диода (25°C/tmax): 37,5 нс (тип.)
• Диссипация мощности при 25°C: 416 Вт

Внимание: на некоторые товары может требоваться 100% предоплата на счёт продавца перед отгрузкой заказа. Пожалуйста, уточните это у менеджера перед оформлением заказа.