Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL20N6F7 — это полевой транзистор с каналом обогащения, работающий при напряжении сток-исток до 60 В и токе стока до 12 А. Модель относится к технологии STripFET™ F7 и имеет максимальную мощность рассеивания 78 Вт.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 12 А
• Максимальная мощность рассеивания: 78 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 5.4 мОм
• Корпус: PowerFLAT 3.3x3.3
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор характеризуется максимально допустимым напряжением сток-исток 60 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 12 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 5.4 мОм. Эти параметры определяют рабочий диапазон компонента в электрических схемах.

Компонент выполнен в корпусе PowerFLAT 3.3x3.3 с поверхностным типом монтажа. Технология изготовления STripFET™ F7 обеспечивает специфические характеристики полевого транзистора. Полярность транзистора — униполярная, канал — обогащенный.

В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов. Символ производителя: STL20N6F7. Транзистор является униполярным.