•
•
•
•
•
•
NCE20TD60BF IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25℃, 16 nS, 48 pF, 97 nC.
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Артикул | 00-00076408 |
| Время нарастания _x000D_ типовое | 16 nS |
| Выходная емкость, _x000D_ типовая | 48 pF |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 34.5 W |
| Максимальная _x000D_ температура перехода | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор | 30 V |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер | 6 V |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 40 A @25℃ |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовое | 1.7 V @25℃ |
| Общий заряд затвора, _x000D_ typ | 97 nC |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
NCE20TD60BF Транзистор IGBT
IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25℃, 16 nS, 48 pF, 97 nC.
NCE20TD60BF IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25℃, 16 nS, 48 pF, 97 nC.
В наличии
108 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат