Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF8N65M5 — это полевой транзистор с обогащенным каналом, изготовленный по технологии MDmesh™ V. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 4,4 А. В комплект входит 10 штук в корпусе TO220FP.

• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 4,4 А
• Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 600 мОм
• Корпус: TO220FP, выводной монтаж
• Комплектация: 10 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и максимальный ток стока 4,4 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 25 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 600 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 25 В.

Компонент выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Это однополярный транзистор с каналом типа «обогащенный». Версия устройства обозначена как ESD. Технология производства — MDmesh™ V.