Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z — это униполярный компонент с технологией SuperMesh™. Модель имеет напряжение сток-исток 600 В и ток стока 5,7 А.

• Напряжение сток-исток 600 В
• Ток стока 5,7 А
• Мощность рассеивания 115 Вт
• Технология SuperMesh™
• Версия ESD
• Набор из 10 транзисторов в корпусе TO220-3

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В. Ток стока составляет 5,7 А. Напряжение между затвором и истоком составляет ±30 В.

Мощность рассеивания транзистора составляет 115 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,75 Ом. Компонент имеет обогащенный канал.

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Транзистор имеет версию ESD.

Транзистор имеет корпус TO220-3 с типом монтажа THT. Товар поставляется набором из 10 шт.