G50T65D — IGBT-транзистор с технологией Trench Field Stop производства Jiangu Donghai Semiconductor (WXDH Electronics). Предназначен для применения в сварочном оборудовании, ИБП (UPS) и трехуровневых инверторах. Отмечается низким напряжением насыщения, повышенной устойчивостью к лавинному пробу и положительным температурным коэффициентом V_CEsat, что упрощает параллельное включение. Корпус TO-3PN.

Тип транзистора	IGBT (Trench Field Stop)
Напряжение коллектор-эмиттер V_CE	650 В
Ток коллектора I_C непрерывный	100 А (при T_j=25°C) / 50 А (при T_j=100°C)
Импульсный ток коллектора I_CM	200 А
Напряжение насыщения V_CEsat (typ/max)	2,0 / 2,5 В (при V_GE=15В, I_C=50А, T_j=25°C)
Напряжение насыщения V_CEsat при T_j=175°C (typ)	2,7 В
Порогова напруга затвора V_GE(th)	5 — 7 В (typ 6 В)
Напряжение затвор-эмитер V_GE	±30 В
Крутость g_fs	30 S (typ)
Входная емкость C_iss	2528 пФ
Выходная емкость C_oss	115 пФ
Обратная передаточная емкость C_rss	24 пФ
Заряд затвора Q_g (typ)	86 нКл
Время включения t_d(on) / t_r при T_j=25°C	25 нс / 72 нс
Время выключения t_d(off) / t_f при T_j=25°C	60 нс / 86 нс
Время выключения t_d(off) / t_f при T_j=175°C	78 нс / 155 нс
Энергия включения E_on при T_j=25°C	0,95 мДж
Энергия отключения E_off при T_j=25°C	0,98 мДж
Суммарная энергия переключения E_ts при T_j=25°C / 175°C	1,93 / 2.04 мДж
Прямое падение напряжения диода V_F (typ/max)	1,7 / 2,2 В (при I_F=20А, T_j=25°C)
Ток диода I_F непрерывный	40 А (при T_j=25°C) / 20 А (при T_j=100°C)
Время обратного восстановления диода t_rr	124 нс
Заряд обратного восстановления Q_rr	98 нКл
Устойчивость к КЗ T_SC	6 мкс
Рассеиваемая мощность P_tot	320 Вт (при T_j=25°C) / 160 Вт (при T_j=100°C)
Теплоопор переход корпус R_thJC (IGBT)	0,47 °C/Вт
Максимальная температура перехода T_jmax	175 °C
Диапазон рабочих температур	-45 ... +175 °C
Корпус	TO-3PN