N-Channel MOSFET 500V, 20A, 0.2Ω
Низкий заряд затвора - макс 56 nC

Корпус	TO220F
Структура	N
Схема соединения	Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C	20 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C	12.6 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V	0.2 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое)	4 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон)	3 ... 5 V
Мощность рассеяния при 25°C	45 Вт