IRF640N — это мощный N-канальный полевой транзистор, созданный по технологии HEXFET. Он сочетает в себе высокую скорость переключения, низкое сопротивление в открытом состоянии и отличную надежность. Благодаря рабочему напряжению до 200 Вольт, этот транзистор является популярным выбором для устройств, где требуется эффективное управление питанием при средних напряжениях.

Корпус TO-220 обеспечивает удобный монтаж на печатную плату и эффективный теплоотвод при использовании радиатора. Транзистор отличается устойчивостью к лавинному пробою, что делает его долговечным в сложных режимах работы.

Технические характеристики:

• Маркировка: IRF640N

• Тип транзистора: N-канальный полевой (MOSFET)

• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 200 В

• Максимальный ток стока (Id): 18 А (при 25 C

• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds on): 0.15 Ом

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 Вт

• Заряд затвора (Qg): 67 нКл

• Тип корпуса: TO-220AB

• Тип монтажа: Выводной (в отверстия)

• Диапазон рабочих температур: от -55 до +175°C