IRFP150N — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), выполненный по технологии HEXFET. Он обладает очень низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой нагрузочной способностью по току. Благодаря рабочему напряжению до 100 Вольт и току до 42 Ампер, этот транзистор является идеальным выбором для силовых цепей, где требуется высокая надежность и эффективность.

Корпус TO-247 обеспечивает превосходный теплоотвод, что критически важно при работе в тяжелых режимах под высокой нагрузкой. Транзистор оптимизирован для высокоскоростного переключения, что делает его незаменимым в современных преобразователях энергии.

Технические характеристики:

• Маркировка: IRFP150N

• Тип транзистора: N-канальный полевой (MOSFET)

• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 100 В

• Максимальный ток стока (Id): 42 А (при 25 C)

• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds on): 0.036 Ом

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 Вт

• Заряд затвора (Qg): 130 нКл

• Тип корпуса: TO-247AC

• Тип монтажа: Выводной (в отверстия)

• Диапазон рабочих температур: от -55 до +175°C