SIHG20N50C-E3 (маркирование на корпусе обычно выглядит как G20N50C) — это высоконадежный высоковольтный N-канальный силовой транзистор от известного мирового производителя Vishay Siliconix. Компонент выполнен в массивном выводном корпусе TO-247AC, который специально разработан для эффективного отвода большого количества тепла.

Этот транзистор является настоящей «рабочой лошадкой» в силовой электронике. Благодаря способности выдерживать напряжение до 500 Вольт и пропускать постоянный ток до 20 Ампер, он отлично подходит для конструирования и ремонта первичных каскадов мощных преобразователей напряжения, где требуется высокая выносливость.

Основные сферы применения:

• Сварочные аппараты: Часто используется в качестве силового ключа в инверторных сварочных схемах.

• Импульсные блоки питания (SMPS): Промышленные источники питания, серверные БП.

• Бесперебойники (UPS): Схемы инвертирования напряжения в источниках бесперебойного питания.

• Альтернативная энергетика: Солнечные инверторы и контроллеры заряда.

• Управление двигателями: Драйверы для мощных электромоторов.

Ключевые преимущества:

• Высокая мощность рассеивания: Благодаря массивному корпусу TO-247 транзистор способен рассеивать до 250 Вт тепловой энергии (при условии правильного охлаждения).

• Устойчивость к перегрузкам: Выдерживает кратковременные импульсные токи стока до 80 Ампер.

• Качество Vishay: Гарантированное соответствие заявленным характеристикам, что крайне важно при ремонте дорогостоящего промышленного оборудования.

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET

• Производитель: Vishay / Siliconix

• Модель: SIHG20N50C-E3 (Марковка: G20N50C)

• Тип корпуса: TO-247AC (выводной)

• Максимальное напряжение сток-вилка: 500 В

• Максимальный постоянный ток стока : 20 А (при = 25°C), 11 А (при  = 100°C)

• Импульсный ток стока : 80А

• Сопротивление открытого канала: 0.27 Ом (270 мОм) при  = 10 В

• Максимальная мощность рассеивания: 250 Вт

• Напряжение открытия затвора: 3.0 В ... 5.0 В

• Заряд затвора : ~65 нКл (типовое значение)

• Стан: Новый (Оригинал)

При взгляде на лицевую сторону транзистора (де нанесена маркировка), выводы слева направо:

1. G (Gate) — Затвор

2. D (Drain) - Сток (также физически соединенный с металлической подкладкой корпуса)

3. S (Source) — утечка