Полевой транзистор IRF640N в корпусе TO-220AB предназначен для работы в высокочастотных импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, регуляторах мощности и других электронных схемах. Данный MOSFET отличается высокой надежностью и способностью работать при значительных токах и напряжениях.

Основные характеристики:

• Тип: N-канальный MOSFET

• Корпус: TO-220AB

• Максимальный ток "сток-исток" (I_D): 18 А

• Максимальное напряжение "сток-исток" (V_DS): 200 В

• Лот: 10 штук

• Применение: импульсные блоки питания, драйверы, регуляторы мощности, DIY-проекты, силовая электроника

Преимущества:

• Высокий ток и напряжение, подходящие для силовых цепей

• Универсальный N-канальный MOSFET для различных схем

• Компактный и надежный корпус TO-220AB

• Лот из 10 штук для удобства массового монтажа или замены