GAN041-650WSB — современный силовой N-канальный GaN-транзистор (Gallium Nitride Cascode), предназначенный для высокоэффективных импульсных и силовых преобразователей. Благодаря чрезвычайно малому заряду затвора и низким потерям на переключение, этот транзистор идеально подходит для высокочастотных приложений, где требуются максимальная энергоэффективность и компактность решений.

Тип: GaN MOSFET (Cascode), N-канальный
Максимальное напряжение сток-сток: 650 В
Постоянный ток стока (25°C): 47,2 А
Сопротивление канала (Rds(on)): 41 мОм @ 32А, 10В
Заряд затвора (Qg): 22 нКл @ 10 В
Входная емкость (Ciss): 1500 пФ @ 400 В
Максимальная мощность рассеяния: 187 Вт
Напряжение управления затвором: до ±20 В
Рабочая температура перехода: –55…+175 °C
Корпус: TO-247-3, монтаж THT