Транзистор биполярный
Маркировка: 1E
Корпус: SOT-23
NPN general purpose transistors
Технические параметры:
Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
Напряжение коллектор-база: 45 В
Напряжение эмитер-база: 6 В
Максимально допустимый ток: 100 мА
Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт
Коэффициент усиления: 420-800