Транзистор IRGP50B60PD1 — это высокоэффективный N-канальный IGBT транзистор с номинальными характеристиками 75А и 600В, оснащенный встроенным антипараллельным HEXFRED® диодом на 25А. Этот транзистор принадлежит к семейству WARP2™, которое специально разработано для использования в приложениях с высокочастотной коммутацией до 150 кГц и мощностью до 12 кВт.

 

Применение:
Транзистор IRGP50B60PD1 находит применение в мощных корректорах коэффициента мощности, источниках бесперебойного питания, импульсных промышленных источниках питания и инверторных сварочных аппаратах.

Благодаря своим высоким токовым и тепловым характеристикам, этот транзистор идеален для AC-DC преобразователей, используемых в серверных и телекоммуникационных источниках питания.

 

Преимущества:
Высокая эффективность: Низкие потери при выключении и минимальное время спада при выключении обеспечивают высокую эффективность в приложениях.
Тепловые характеристики: Благодаря малой толщине кристалла и высокой удельной плотности тока транзистор имеет улучшенные тепловые характеристики.
Самовыравнивание токов: Положительный тепловой коэффициент сопротивления канала позволяет транзисторам автоматически выравнивать токи при параллельном соединении, что улучшает их надежность и долговечность.

 

Этот транзистор идеально подходит для применения в устройствах, где требуется высокая надежность, низкие коммутационные потери и отличные тепловые характеристики, обеспечивая при этом компактность и эффективность.

 

Характеристики

• Обозначение на корпусе GP50B60PD1
• Тип канала IGBT N-канальный
• Наличие встроенного диода
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В
• Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25 ° C, 75 А
• Импульсный ток коллектора 150 А
• Максимальная рассеиваемая мощность 390 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при +25 º С 2,35 В
• Заряд затвора 205 нКл
• Время включения 30 нс
• Время выключения 130 нс
• Рабочая температура -50 ... +150 ° C
• Тип корпуса TO247