Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vce) -40В
• Непрерывный ток коллектора (Ic) -200мА
• Рассеивание мощности 625мВт
• Диапазон рабочей температуры перехода от -55°C до 150°C
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер менее 400мВ при Ic=10мА
• Коэффициент усиления DC тока более 30 при Ic = 100мА

Максимальная Рабочая Температура    150 C
Количество Выводов    3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер    40В
Стиль Корпуса Транзистора    to-92
Рассеиваемая Мощность    625мВт
Полярность Транзистора    pnp
DC Ток Коллектора    200ма
DC Усиление Тока hFE    100hFE
Частота Перехода ft    250МГц
Transistor Mounting    Through Hole
Вес, г    0.2