The IRF9630PBF is a -200V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, third generation HEXFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Easy to parallel
• Simple drive requirements

Структура    p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В    -200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А    -6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В    ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)    0.8 ом при-3.9a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт    75
Крутизна характеристики, S    2.2
Корпус    to220ab
Пороговое напряжение на затворе    -4
Вес, г    2.5