Основной

Производитель	STMicroelectronics
Материал корпуса	Пластик
Страна производитель	Китай
Тип монтажа	Ручной монтаж
Максимальная мощность рассеивания	12.50 Вт

BD135 транзистор NPN (1,5А 80В) 12,5W (ТО126)

Iк max: 1.5А

Uкэо max: 80В

h21э: 25 … 250

Ft: 190МГц

Корпус: SOT-32 (ТО126)

Рассеиваемая мощность: 12.5Вт

Производитель: STM

: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г

Тип: NPN биполярный транзистор

Производитель:	STMicroelectronics
Категория продукта:	Биполярные транзисторы ― BJT
RoHS:	Подробности
Конфигурация:	Single
Полярность транзистора:	NPN
Напряжение коллектор-база (VCBO):	45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):	5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	- 0.5 V, + 0.5 V
Максимальный постоянный ток коллектора:	1.5 A
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Вид монтажа:	Through Hole
Упаковка / блок:	ТО126
Торговая марка:	STMicroelectronics
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	25
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:	250
Минимальная рабочая температура:	- 65 C
Упаковка:	Tube
Pd ― рассеивание мощности:	12.5 W
Серия:	500V Transistors
Размер фабричной упаковки:	100