Наименование прибора: STD11N65M5
Маркировка: 11N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 25 V
пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm
Тип корпуса: DPAK