30F131 это n-канальный биполярный транзистор c изолированным затвором (IGBT). Транзистор в основном применяется в плазменных панелях. Транзистор рассчитан на напряжение пробоя 360 В и импульсный ток затвора до 200 А. Напряжение коллектор-эмиттер 1,9 В при токе 120 А.
Цена указана за единицу товара. При покупке значительных количеств (для каждого чипа индивидуально), можете указать в комментариях к заказу "Предложите скидку". Менеджер свяжется с Вами по телефону для согласования цены.
Примечание: мы не несем ответственности за работоспособность микросхемы в проектах и схемах, разработанных и собранных самим пользователем или третьими лицами. Работоспособность может гарантироваться только в проектах и схемах, которые разработаны производителями электроники. Покупатель должен сам оценить свою компетентность при создании проекта. При сомнениях в качестве исполнения микросхемы производителем, рекомендуем сначала покупать пробную партию в единичных количествах. При этом мы можем зарезервировать для Вас требуемые количества на срок до 7 дней, чтобы они были именно из этой партии.

Характеристики:

модель: 30F131;
производитель: Toshiba;
корпус: TO-263-2;
напряжение пробоя: 360 В;
максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В;
максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А;
напряжение насыщения при номинальном токе: 1,9 В;
мощность: 140 Вт;
рабочая температура: -50 – 150°C