Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

Максимальная рабочая температура    +175 °C
Длина    15.87мм
Transistor Configuration    Одинарный
Производитель    Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)    600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора    140 А
Тип корпуса    TO-247AC
Максимальное рассеивание мощности    34 Вт
Тип монтажа    Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура    -40 °C
Число контактов    3
Размеры    15.87 x 5.31 x 20.7мм
Скорость переключения    8 → 30кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер    ±20V
Тип канала    N