•
•
•
•
•
•
Транзистор полевой BSH112
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | NXP Semiconductors |
Пользовательские характеристики
| Корпус | SOT-23 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -65 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 15 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 5,3 |
| Полярность | N-Channel |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 0,3 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,83 |
N-ch; 60V; 0,3A; 0,83W; 5,3 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 0,3 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 1,2 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 5,0 Ом @10 В; max 5,3 Ом @4,5 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±15 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 0,83 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -65…+150 °C
- Корпус: SOT-23
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус SOT-23, вид сверху: 1. Gate (G, Затвор) 2. Source (S, Исток) 3. Drain (D, Сток).
Транзистор полевой BSH112
Готово к отправке
5.1 ₴
Способы оплаты
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпочта — от 39 грн
Meest ПОШТА — от 30 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат