Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP160N3LL — это полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный в корпусе TO220-3. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 30 В, ток стока 112 А и мощность рассеивания 136 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 4,2 мОм.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
• Максимально допустимый ток стока: 112 А
• Максимальная мощность рассеивания: 136 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 4,2 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж вставной

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 30 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 112 А, а максимальная мощность рассеивания — 136 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 4,2 мОм, что характеризует проводимость канала при полном открытии.

Компонент изготовлен по технологии STripFET™ H6 и имеет тип монтажа «вставной» (THT). Корпус TO220-3. Полярность транзистора — униполярная, канал — обогащенный (enhancement).

В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов STP160N3LL. Максимальный импульсный ток стока составляет 480 А, а заряд затвора — 42 нКл.