Транзистор IRF630N N-канальный MOSFET (полевой транзистор)

Характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.3 A
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
• Время нарастания (tr): 14 ns
• Выходная емкость (Cd): 89 pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
• Тип корпуса: ТО220АВ