promo_download_app_ios_2025
Нажмите найти для поиска
Силовой IGBT модуль FF300R12ME4
Силовой IGBT модуль FF300R12ME4
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительInfineon
Тип транзистораТранзисторный модуль
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер1000 В
Максимально допустимый ток коллектора450 А
Максимальная мощность рассеивания1600 Вт

Дополнительные характеристики

Минимальная рабочая температура-40 град.
Максимальная рабочая температура125 град.

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT 1200V 300A

Производитель: Infineon
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)  
RoHS:    
Продукт: IGBT Silicon Modules
Конфигурация: Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 450 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 0.4 uA
Pd - рассеивание мощности: 1.6 kW
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Упаковка: Tray
Технология: Si  
Торговая марка: Infineon Technologies  
Вид монтажа: Chassis Mount  
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V  
Тип продукта: IGBT Modules  
Размер фабричной упаковки: 10  
Подкатегория: IGBTs  
Другие названия FF300R12ME4BOSA1 SP000405060 FF300R12ME4BOSA1  
Вес изделия: 345 g

Силовой IGBT модуль FF300R12ME4

Под заказ, 20 дней
6 000 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта
Оплата на счет
IBAN UA363220010000026001340037663
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Чат