•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT 12N60A4D
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Користувальницькі характеристики
| Корпус | TO-220 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 167 |
| Напруга затвор-емітер Vge, Вольт | 20 |
| Напруга колектор-емітер Vces, Вольт | 600 |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on), Вольт | 2 |
| Номінальний струм діода (100°C) If, Ампер | 12 |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic, Ампер | 23 |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic, Ампер | 54 |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr, Наносекунд | 30 |
| Структура | IGBT+діод |
IGBT; N-ch; 600V; 12A
Транзистор IGBT 12N60A4D
Готово до відправки
198 ₴
Способи оплати
Нова Пошта, Укрпошта, Meest ПОШТА
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Meest ПОШТА — від 30 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
9.4 ₴
97.44 ₴
17.4 ₴
63.22 ₴
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат