ГТ346А германиевый транзистор PNP 200 МГц (0,1mА 15В) (h21э: 10-150) 3W Ni (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
ГТ346А
Транзисторы ГТ346А германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 800 и 200 МГц.
Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн с автоматической регулировкой усиления.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Технические условия: ПЖ0.336.021 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора ГТ346А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 700 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА при 20 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 10...150 при 5В, 3мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ при 5В;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 800 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 3 пс
Технические характеристики транзисторов ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В:
Тип
транзистора |
Структура |
Предельные значения параметров при Тп=25°С |
Значения параметров при Тп=25°С |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max |
h21э |
UКЭ
нас. |
IКБО |
f гp. |
КШ |
СК |
СЭ |
| мА |
мА |
В |
В |
В |
мВт |
|
В |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
| ГТ346А |
p-n-p |
10 |
- |
15 |
20 |
0,3 |
50 |
10...150 |
- |
10 |
700 |
6 |
1,3 |
- |
85 |
-45…+55 |
| ГТ346Б |
p-n-p |
10 |
- |
15 |
20 |
0,3 |
50 |
10...150 |
- |
10 |
550 |
8 |
1,3 |
- |
85 |
-45…+55 |
| ГТ346В |
p-n-p |
10 |
- |
15 |
20 |
0,3 |
50 |
15...150 |
- |
10 |
550 |
7 |
1,3 |
- |
85 |
-45…+55 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.