Основні

Тип монтажу	Ручний монтаж
Тип транзистора	Біполярний
Тип біполярного транзистора	P-N-P
Максимально допустима напруга колектор-емітер	60 В
Максимально допустимий струм колектора	0.35 А
Матеріал корпусу	Металоскло

Користувальницькі характеристики

Країна походження	СРСР
Виконання	Дискретне

КТ342А транзистор PNP (50мА 30В) (h21э =100…250) Au (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

КТ342А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов КТ342А, КТ343Б, КТ342В, КТ342Г указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЖК3.365.227 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ342Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 200... 500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс

Технические характеристики транзисторов КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С							TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	h21э	UКЭ нас.	IКБО	f гp.	КШ	СК	СЭ	TП max	Т max
		мА	мА	В	В	В	мВт		В	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
КТ342А	n-p-n	50	300	30	-	5	250	100…250	0,1	0,05	250	-	8	-	150	-60…+125
КТ342Б	n-p-n	50	300	25	-	5	250	200…500	0,1	0,05	300	-	8	-	150	-60…+125
КТ342В	n-p-n	50	300	10	-	5	250	400...1000	0,1	0,05	300	-	8	-	150	-60…+125
КТ342Г	n-p-n	50	300	60	-	5	250	50...125	0,2	0,05	300	-	8	-	150	-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды. КТ242А (кремниевый транзистор, p-n-p)