Основні

Тип транзистора	Польовий
Матеріал корпусу	Металоскло
Максимально допустима напруга затвор-витік	30 В
Максимальна потужність розсіювання	0.20 Вт
Тип монтажу	Ручний монтаж

КП303Б транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

КП303Б
Транзисторы КП303Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приёмка «1» - Ц20.336.601ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный : 2N5556, D110-1.

Основные технические характеристики транзистора КП303Б:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 0,5...2 мА;
• S - Крутизна характеристики: 1... 4 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.

Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом p-типа
КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е КП303Ж, КП303И:

Тип полевого транзистора	Р МАКС	f МАКС	Предельные значения параметров при Т=25°С				Значения параметров при Т=25°С								Т ОКР
	Р МАКС	f МАКС	UСИ МАКС	UЗС МАКС	UЗИ МАКС	IС МАКС	UЗИ ОТС	g22И	IЗ УТ	S	IС НАЧ	C11И	C12И	КШ	Т ОКР
	мВт	МГц	В	В	В	мА	В	мкСм	нА	мА/В	мА	пФ	пФ	дБ	°С
КП303А	200	-	25	30	30	20	0,5…3	-	<1	1…4	0,5…2	<6	<2	-	-40…+85
КП303Б	200	-	25	30	30	20	0,5…3	-	<1	1…4	0,5…2	<6	<2	-	-40…+85
КП303В	200	-	25	30	30	20	1…4	-	<1	2…5	1,5…5	<6	<2	-	-40…+85
КП303Г	200	-	25	30	30	20	<8	-	<0,1	3…7	3…12	<6	<2	-	-40…+85
КП303Д	200	-	25	30	30	20	<8	-	<1	>2,6	3…9	<6	<2	<4	-40…+85
КП303Е	200	-	25	30	30	20	<8	-	<1	>4	5…20	<6	<2	<4	-40…+85
КП303Ж	200	-	25	30	30	20	0,3…3	-	<5	1…4	0,3…3	<6	<2	-	-40…+85
КП303И	200	-	25	30	30	20	0,5…2	-	<5	2…6	1,5…5	<6	<2	-	-40…+85

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.