КТ819ВМ транзистор NPN (20А 70В) 100W (ТО3) Наїмен. тип Uкбо (і), В Uкео (і), В Iкmax (і), мА Pкmax (т), Вт h21е Iкбо, мкА fгр., МГц Uкen, В КТ819АМ n-p-n 40 15000) 15-25 1000 3 ККВ 70 70 15000 (20000) 2(100) 15-225 1000 3 <2 КТ819ГМ 100 100 15000 (20000) 2(100) 12-225 1000 3 <2 2Т819А 100 100 15000 (20000) 3(100) 20-225 1000 3 <1 2Т819Б 80 80 15000 (20000) 3(100) 20-225 1000 3 <1 2Т819В 60 60 15000 (20000) 3(100) 20-225 1000 3 <1 Корпус: Uкбо — Максимально допустима напруга колектор-база Uкбої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-база Uкео — Максимально допустима напруга колектор-емітер Uкеої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-емітер Iкmax — Максимально допустимий постійний струм колектора Iкmax і — Максимально допустимий імпульсний струм колектора Pкmax — Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора без тепловідведення Pкmax т — Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора в схемі із загальним імітером Iкбо — Зворотний струм колектора f г — гранічна частота коефіцієнта передавання струму в схемі із загальним імітером Uкен — напруга насичення колектор-емітер