Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Кш, Дб
	n-p-n								-
КТ605БМ		250	300	75(500)	0.85(2.8)	50-200	70	30	-

Корпус:

КТ602БМ
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n. 
Предназначены для генерирования и усиления сигналов. 
Транзисторы: 
- 2Т602А, 2Т602Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, 
- 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ  в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, не более 5 г, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ ― не более 1 г.

Основные технические характеристики транзистора КТ602БМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт;
• Рк и max ― Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт;
• fгр ― Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max ― Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;
• Uэбо max ― Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max ― Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА;
• Iк и max ― Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо ― Обратный ток коллектора ― ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА;
• h21э ― Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;
• Ск ― Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;
• Rкэ нас ― Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом;
• tк ― Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс