Пошук
Натисніть знайти для пошуку
Bigl.ua
•
Всі категорії
•
Електрообладнання
•
Електронні компоненти
•
Активні компоненти
•
Транзистори
•
BT137-800Е, симістор, 8 А, 800 В.
Характеристики та опис
Додаткові характеристики
Стан
Новий
Користувальницькі характеристики
Технічний стан
справне
BT137-800Е, симістор, 8 А, 800 В.
BT137-800Е, симістор, 8 А, 800 В.
5
(2)
1 замовлення за місяць
В наявності
17
₴
Купити
Купити зараз
Безпечна оплата
Продавець sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
5
Відгуки про продавця
Графік роботи
Товари продавця
Захист покупки до 5 000 грн
Способи оплати
Безпечна оплата
Як післяплата, тільки без переплат
Повернем гроші, якщо щось піде не так
Bigl гарантує безпеку
Детальніше
Післяплата
Нова Пошта, Укрпошта, Самовивіз
Оплата на рахунок
Дивитись все
Способи доставки
Нова Пошта
—
від 70 грн
Укрпошта
—
від 39 грн
Самовивіз
Дивитись все
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістю
Детальніше
Інші товари продавця
Ртутний датчик нахилу, тип 101, 3 х 9 мм.
12
₴
Радіатор 9х9х5 мм.
6
₴
В30100, діодна складка Шоттки, 30 А.
17
₴
YG802C04, діодна збірка.
4
₴
Д817В, стабілізрон.
3
₴
Дивіться також
Igbt n канал 0в 10а stm stgp10nckd to220
Транзистор rjp30h2a igbt 3в 35а
Транзистор n канал в 1 а / 220ab
Igbt 410в 10а stm stgb10nb37lz d2pak
Mosfet n канал 0 в 10 а stp10nkzfp to220f
Транзистори
Mosfet
Транзистор irf740
Транзистор igbt
Ту 160
Elt be 236 2
Igbt n канал 0в 10а stm stgp10nckd to220
Транзистор rjp30h2a igbt 3в 35а
Транзистор n канал в 1 а / 220ab
Igbt 410в 10а stm stgb10nb37lz d2pak
Mosfet n канал 0 в 10 а stp10nkzfp to220f
Транзистори
Mosfet
Транзистор irf740
Транзистор igbt
Ту 160
Elt be 236 2
Новинки в категорії транзистори
NCEP039N10M MOSFET, 220 W, 100 V, 135 A, TO220
FDB14N30-VB •N•140 W•14 A•18 nC•0.29 Ohm
IRG4PC30KDPBF 600V 28A 100W
FGA40T65SHDF Транзистор 40A 650V Pd - потужність, що розсіює...
Транзистор 2SB772 (уп. 5 шт.)
IXGH60N60C3D1 БТІЗ транзистор, 75 А, 2.2 В, 380 Вт, 600 В, T...
IXFH150N17T2 Потужний МОП-транзистор, N-канал, 175 В, 150 А,...
FDS9945 Транзистор: N-MOSFET x2, польовий 60В, 3,5А, 2Вт, SO...
IRFD024PBF MOSFET силовий транзистор - [DIP4-300-2.54]: Тип:...
BCR512E6327HTSA1 Транзистор: NPN, біполярний, BRT, 50В, 500м...
NCEP039N10M MOSFET, 220 W, 100 V, 135 A, TO220
FDB14N30-VB •N•140 W•14 A•18 nC•0.29 Ohm
IRG4PC30KDPBF 600V 28A 100W
FGA40T65SHDF Транзистор 40A 650V Pd - потужність, що розсіює...
Транзистор 2SB772 (уп. 5 шт.)
IXGH60N60C3D1 БТІЗ транзистор, 75 А, 2.2 В, 380 Вт, 600 В, T...
IXFH150N17T2 Потужний МОП-транзистор, N-канал, 175 В, 150 А,...
FDS9945 Транзистор: N-MOSFET x2, польовий 60В, 3,5А, 2Вт, SO...
IRFD024PBF MOSFET силовий транзистор - [DIP4-300-2.54]: Тип:...
BCR512E6327HTSA1 Транзистор: NPN, біполярний, BRT, 50В, 500м...
Чат