Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Максимальна напруга колектор-емітер (Vce): 650 В

Максимальний постійний струм колектора (Ic): 40 А

Імпульсний струм (Ic pulse): до 80–120 А

Напруга керування затвором (Vge): ±20 В

Напруга відкривання Vge(th): ~4–6 В

Низькі втрати перемикання

Вбудований швидкий антипаралельний діод

Корпус: TO-247

Монтаж: через отвір (THT)

Робоча температура: до +150°C