Транзистор IGBT від бренду BASiC SEMICONDUCTOR, модель BGH40N120HS1. Це напівпровідниковий прилад з інтегрованим діодом Шотткі на основі карбіду кремнію (SiC SBD), розрахований на напругу 1,2 кВ та струм 40 А. Товар постачається набором із 3 одиниць у корпусі TO247-3.

• Тип транзистора: IGBT з інтегрованим діодом SiC SBD
• Максимальна напруга: 1200 В
• Максимальний струм колектора: 40 А
• Корпус: TO247-3, монтаж вставний
• Кількість у наборі: 3 шт.

Транзистор має максимальну напругу колектора 1,2 кВ та максимально допустимий струм колектора 40 А. У конструкції використано технологію Field Stop та Trench. Інтегрований антипаралельний діод Шотткі на основі SiC.

Прилад виконаний у корпусі TO247-3. Тип монтажу — вставний (THT).

У комплекті постачається 3 транзистори BASiC SEMICONDUCTOR BGH40N120HS1.