Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z — польовий транзистор з каналом, що збагачується, розрахований на напругу стік-витік 500 В та струм стоку 6,3 А. Виріб виготовлений за технологією SuperMesh™ у корпусі TO220-3 та має захист від електростатичного розряду (ESD).

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 6,3 А
• Потужність розсіювання: 125 Вт
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Технологія: SuperMesh™, версія ESD
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Максимально допустима напруга стік-витік становить 500 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимальний струм стоку дорівнює 6,3 А. Опір у відкритому стані (Rds) складає 520 мОм.

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 125 Вт. Пристрій виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Тип каналу: збагачуваний (wzbogacany), полярність — уніполярна.

Товар постачається набором, що містить 10 транзисторів.