Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18NM60N — це польовий транзистор з каналом, що збагачується. Модель має максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 8.19 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 8.19 А
- Потужність розсіювання: 130 Вт
- Корпус: TO247
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 600 В та напругою затвор-витік 25 В. Максимальний постійний струм стоку становить 8.19 А, а імпульсний струм може досягати 52 А. Потужність розсіювання становить 130 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247. Тип монтажу — вставний. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 250 мОм.
Комплектація
У комплекті поставляється 10 транзисторів STW18NM60N. Полярність транзистора — уніполярна. Заряд затвора становить 34 нКл.