Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW40V60DF — напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-3 з максимальною напругою колектор-емітер 600 В та струмом колектора 160 А. Максимальна потужність розсіювання становить 283 Вт. У комплекті поставляється 10 одиниць.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимальна напруга колектор-емітер: 600 В
• Максимальний струм колектора: 160 А
• Потужність розсіювання: 283 Вт
• Корпус: TO247-3
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Транзистор працює з максимально допустимою напругою колектор-емітер 600 В та витримує струм колектора 160 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 283 Вт. Зарядка затвора становить 226 нКл, а напруга затвор-емітер обмежена ±20 В.

Прилад має тип монтажу «вставний» (THT) та виконаний у корпусі TO247-3. Інтегрований антипаралельний діод є частиною конструкції транзистора.

У наборі 10 транзисторів.