Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA50IH65DF у корпусі TO247-3. Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, струм колектора — 50 А, максимальна потужність розсіювання — 300 Вт.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимальна напруга колектор-емітер: 650 В
• Струм колектора: 50 А
• Максимальна потужність розсіювання: 300 Вт
• Корпус: TO247-3
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Транзистор працює з максимально допустимою напругою колектор-емітер 650 В. Максимально допустимий струм колектора дорівнює 150 А, а струм колектора — 50 А. Максимальна потужність розсіювання становить 300 Вт.

Компонент виконаний у корпусі TO247-3 із вставним типом монтажу. Заряд затвора становить 158 нКл, а максимально допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.

У наборі постачається 10 транзисторів.