Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24NF10 — це польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний у корпусі TO220-3. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 18 А при потужності розсіювання 85 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 18 А
- Потужність розсіювання: 85 Вт
- Опір у відкритому стані: 60 мОм
- Корпус: TO220-3, вставний монтаж
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 100 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 18 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 60 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 85 Вт.
Технологія та конструкція
Прилад виготовлений за технологією STripFET™ II та має вставний тип монтажу. Корпус TO220-3 забезпечує стандартне кріплення для компонентів цієї потужності. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення.
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів STP24NF10.